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InGaAs探測器
LD-FPA-640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器
640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器
InGaAs短波焦平面探測器產品應用在近紅外成像和光譜技術成像上，包括非制冷型（無TEC）和制冷型（TEC）型。產品應用穩定成熟的工藝，并已實現量產。該產品選用常規封裝，便于CCD與CMOS相機集成商的機械設備；集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度，并通過密閉金屬封裝來實現其高可靠性。
產品型號
InGaAs面陣探測器的響應波段為900-1700nm/2200nm，目前可提供320x256和640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術可以使其與讀出電路緊密結合，同時采用LCC及Kovar氣密封裝，且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據客戶的需求定制封裝不同的產品。
640×512系列FPA參數表
型號 | FPA0640P15F-17-C | FPA0640P15F-17-T1/T2 | FPA0640P15F-2.2-T2 | FPA-640×512-K |
材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs | InGaAs |
響應波段 | 0.9um-1.7um | 0.9um-1.7um | 1.2um-2.2um | 0.9um-1.7um |
圖像分辨率 | 640×512 | 640×512 | 640×512 | 640×512 |
像元尺寸 | 15um | 15um | 15um | 25um |
靶面尺寸 | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm | 16mm×12.8mm |
封裝 | 64-pin CLCC | 28-pin SDIP Package | 28-pin Metal SDIP Package | 28-pin MDIP |
重量 | 1.7g | 19.5g(±0.5) | 19.5g(±0.5) | 24.6g/24.467g |
有效像元率 | >99.5% | >99.5% | ≥98% | >99% |
暗電流 | ≤30fA | ≤20fA | ≤25fA | ≤0.2pA |
量子效率 | ≥70% | ≥70% | ≥60% | ≥70% |
填充率 | / | / | / | ＞99% |
串擾 | / | / | / | ＜1% |
探測率 | / |
/ | / | ≥5×1012J(TE1) ≥7.5×1012J(TE2) |
響應非均勻性 | ≤5% | ≤5% | ≤10% | ≤10% |
非線性(最大偏差) | ≤2% | ≤2% | ≤4% | ≤2% |
最大像素率 | / | / | / | 10MHz |
增益 | High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e- | High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e- | High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e- | High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e- |
滿阱容量 | High:0.041Me- Low:1.38Me- | High:0.041Me- Low:1.38Me- | High:0.019Me- Low:1.440Me- | High:0.118Me- Low:1.9Me- |
TEC制冷 | 非制冷 | TE1/TE2/非制冷 | TE2 | TE1/TE2 |
工作溫度 | -40℃—+70℃ | -40℃—+70℃ | -40℃—+70℃ | -20℃—+85℃ |
儲存溫度 | -40℃—+70℃ | -40℃—+70℃ | -40℃—+70℃ | -40℃—+85℃ |
功耗 | 200mw | 200mw** | 200mw | 325mw** |
注：**不帶制冷
